日前，第三届中欧第三代半导体高峰论坛在深圳举办。参会专家学者指出，第三代半导体未来应用于潜力极大，不具备变革性的突破力量，是半导体以及下游电力电子、通讯等行业新一轮变革的突破口。
2018年，美国、欧盟等持续增大第三代半导体领域研发反对力度，国际厂商大力、稳健前进，商业化的碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）电力电子器件新品大大发售，性能日益提高，应用于渐渐普遍。获益于整个半导体行业宏观政策受到影响、资本市场欢迎、地方大力前进、企业普遍转入等积极因素，国内第三代半导体产业稳步发展。但是，在材料指标、器件性能等方面与国外先进设备水平仍不存在一定差距，国产化市场需求急迫。
“无论是从模块安全性，还是从中国经济发展形势看，第三代半导体都享有极大发展空间和较好市场前景，促成了上万亿元的潜在市场。”深圳市科学技术协会党组书记林祥指出，第三代半导体是全球半导体产业技术创新和产业发展热点，为信息、能源、交通模块等战略性新兴产业发展获取了最重要承托。近年来，随着材料、器件、工艺和应用于方面一系列技术创新和突破，第三代半导体跑到了从研发到产业的拐点上。“只要有用电的地方就不会中用半导体。
”国家新能源汽车技术创新中心车规半导体业务负责人文宇认为，发展新能源汽车是我国汽车产业转型的必由之路，同时还将建构汽车新的产业生态链。未来，汽车半导体将沦为全球半导体市场仅次于驱动力。其中，碳化硅在新能源汽车领域的应用于前景随着技术发展将获得相当大的提高。
“碳化硅的各种特性都比硅要好，制成器件有高频、高效、高温优势，未来不会在白色家电、轨道交通、医疗设备等领域获得广泛应用。”深圳基本半导体有限公司总经理和巍巍讲解说道，涉及数据表明，2018年整个碳化硅功率器件的市场容量为5亿美元，未来市场容量年化填充增长率将多达30％。就国内碳化硅发展现状来看，在第三代半导体材料方面仍然紧随国际前沿，可获取衬底和外延产业化。
在汽车应用领域设计和生产方面，我国与国际先进设备水平还有一定差距，有几所大学可以生产器件样品、三四家公司可以量产二极管，但目前只有基本半导体可以量产碳化硅MOSFET，期望铸碳化硅的中国“芯”。
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